[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202211077745.9 | 申请日： | 2022-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN115988957A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 安智薰;金丙上;洪承范 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 王建国;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式可以提供能够在保持电容器的上电极的厚度的同时通过增加连续性来覆盖电介质层的整个表面的半导体器件及其制造方法。此外，本发明的实施方式可以提供能够减轻下电极的弯曲的半导体器件及其制造方法。根据本发明的一个实施方式，一种半导体器件包括：形成在衬底上方的下电极结构；形成在下电极结构上方的电介质层；以及形成在电介质层上并且包括与电介质层接触的含硅非晶层的上电极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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