[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

下电极结构，形成在衬底上方；

电介质层，形成在所述下电极结构上方；以及

上电极结构，形成在所述电介质层上并且包括与所述电介质层接触的含硅非晶层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述上电极结构包括非晶金属硅氮化物层和结晶金属氮化物层的堆叠结构。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述上电极结构具有连续性并且覆盖所述电介质层的整个表面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述含硅非晶层包括非晶钛硅氮化物。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述结晶金属氮化物层包括氮化钛。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述非晶金属硅氮化物层的厚度小于所述结晶金属氮化物层的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述上电极结构包括非晶金属硅氮化物层、结晶金属氮化物层和半导体材料层的堆叠结构。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述上电极结构包括非晶金属硅氮化物层、结晶金属氮化物层、硅锗层和钨层的堆叠结构。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述下电极结构包括：

第一下电极，具有筒结构；以及

第二下电极，设置在所述第一下电极内部，具有比所述第一下电极小的晶粒尺寸，并且具有柱状结构。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第二下电极的硬度大于所述第一下电极的硬度。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一下电极包括金属氮化物，并且所述第二下电极包括金属硅氮化物。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一下电极包括氮化钛或低电阻率金属氮化物。

13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第二下电极包括钛硅氮化物。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述下电极结构包括：

第一下电极，具有筒结构；

第二下电极，沿所述第一下电极的内表面形成，具有小于所述第一下电极的晶粒尺寸，并且具有筒结构；以及

第三下电极，设置在所述第二下电极内部并且具有柱状结构。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中

所述第一下电极包括金属氮化物，

所述第二下电极包括金属硅氮化物，以及

所述第三下电极包括多晶硅。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下电极结构包括柱状结构并且包括导电材料层，所述导电材料层具有比氮化钛小的晶粒尺寸。

17.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下电极结构由钛硅氮化物形成，具有柱状结构。

18.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括支承所述下电极结构的外壁的支承物。

19.一种半导体器件，包括：

下电极结构，包括由第一下电极和第二下电极形成的堆叠结构，所述第一下电极形成在衬底上方并且具有筒结构，所述第二下电极设置在所述第一下电极内部并且具有比所述第一下电极小的晶粒尺寸；

电介质层，形成在所述下电极结构上方；以及

上电极结构，形成在所述电介质层上方。