[发明专利]快恢复功率器件的结构、制造方法及电子设备有效
| 申请号： | 202211071239.9 | 申请日： | 2022-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN115172445B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 张益鸣;刘杰 | 申请（专利权）人： | 深圳芯能半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/07;H01L21/82 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种快恢复功率器件的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，通过包括P型层、N型外延层、第一柱状沟槽、第一P型区以及第二P型区；P型层位于N型外延层上表面；第一柱状沟槽镂空P型层且位于N型外延层上表面；第一P型区位于第一柱状沟槽的下方；第二P型区设置于第一柱状沟槽的侧面下方且位于P型区的上表面；第二P型区的掺杂浓度大于第一P型区的掺杂浓度第一柱状沟槽的侧面上方与N型外延层连接；故在正向开启电压的同时，降低了反向恢复电流，并提高了快恢复功率器件的反向耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 功率 器件 结构 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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