[发明专利]一种发光芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202211053023.X | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN115332402A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 伏兵;李晓静;张阿芹;王志亮;马英杰 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/30;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张欣然 |
| 地址： | 225101*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光芯片及其制备方法，该制备方法包括：提供第一衬底，在第一衬底上依次生长N型缓冲层、N型功能层、有源层和P型功能层，P型功能层按照生长顺序包括P型限制层、P型电流扩展层和粗化层，P型电流扩展层具有多层，每层包含不同含量的Al组分，通过在P型限制层上生长与P型限制层晶格常数相差较小的P型电流扩展层，避免了后续研磨时P型限制层和P型电流扩展层之间的失配应力导致发光芯片翘曲增大的问题，进而避免发光芯片破损，实现提高发光芯片的良片率、优化发光芯片电流扩展和提高发光芯片的出光效果的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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