[发明专利]一种发光芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光芯片的制备方法，其特征在于，包括：

提供具有预设晶向的第一衬底；

在所述第一衬底上依次生长N型缓冲层、N型功能层、有源层和P型功能层，其中，所述N型功能层按照生长顺序包括N型腐蚀截止层、N型欧姆接触层、N型电流扩展层和N型限制层，所述P型功能层按照生长顺序包括P型限制层、P型电流扩展层和粗化层，所述P型电流扩展层具有N层，每层包含不同含量的Al组分，N的取值范围为1至10；

对所述粗化层背离所述P型电流扩展层的一侧进行粗化；

在所述粗化层粗化的一侧蒸镀硅化合物或氧化合物，并抛光；

提供第二衬底；

在所述第二衬底上蒸镀硅化合物或者氧化合物；

将所述第二衬底上的硅化合物或氧化合物与所述粗化层上的硅化合物或氧化合物键合；

依次腐蚀所述第一衬底、所述N型缓冲层和所述N型腐蚀截止层；

基于电极构造工艺形成P电极、N电极、ISO隔离层和双电级；

研磨所述第二衬底未蒸镀硅化合物或氧化合物的一侧，得到芯片厚度范围为1um至100um的发光芯片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述P型限制层背离所述有源层的一侧生长N个Al_xGa_1-xInP/Al_yGa_1-yInP层，得到P型电流扩展；

其中，Al_xGa_1-xInP和Al_yGa_1-yInP中的Al组分含量范围为0.2至0.9，x的取值为0.3，y的取值为0.7。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述P型限制层背离所述有源层的一侧生长N个Al_xGa_1-xInP/Al_yGa_1-yAs层，得到P型电流扩展层；

其中，Al_xGa_1-xInP中的Al组分含量范围为0.2至0.9，Al_yGa_1-yAs中的Al组分含量范围为0.3至1，x的取值为0.3，y的取值为0.6。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述P型限制层背离所述有源层的一侧生长N个Al_xGa_1-xAs/Al_yGa_1-yAs层，得到P型电流扩展层；

其中，Al_xGa_1-xAs和Al_yGa_1-yAs中的Al组分含量范围为0.3至1，x的取值为0.2，y的取值为0.6。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，

在所述P型限制层背离所述有源层的一侧生长具有N层结构的P型电流扩展层时，依据生长的后一层结构中的Al组分含量大于前一层结构中的Al组分的方式进行生长；

或者，在所述P型限制层背离所述有源层的一侧生长具有N层结构的P型电流扩展层时，依据生长的后一层结构的厚度大于前一层结构的厚度的方式进行生长；

或者，在所述P型限制层背离所述有源层的一侧生长具有N层结构的P型电流扩展层时，依据生长的后一层结构中Mg掺杂浓度大于前一层结构中Mg掺杂浓度的方式进行生长。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，

提供晶向为(100)偏向111，夹角为2度至15度的N型GaAs作为第一衬底。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，

在温度范围650度至750度内，在所述第一衬底的一侧上生长掺杂Si元素的N型GaAs缓冲层。