[发明专利]半导体器件及其制备方法、存储器以及存储系统

摘要

本公开实施例提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器以及存储系统，该半导体器件的制备方法包括：提供衬底，衬底包括多个有源区，每个有源区沿第一方向延伸，多个有源区沿第二方向排布，第一方向和第二方向相交且均平行于衬底所在平面；从衬底的第一面刻蚀衬底，以在衬底中形成多个第一沟槽，第一沟槽沿第一方向延伸，第一沟槽位于相邻两个有源区之间，并且暴露相邻两个有源区的第一侧壁，第一侧壁包括沿第三方向排布且相互接触的第一部分和第二部分，第二部分和第一沟槽的底部连接，第三方向垂直于衬底所在平面；在第一沟槽内，形成覆盖第二部分的位线；填充第一沟槽，形成第一隔离结构。