[发明专利]半导体器件及其制备方法、存储器以及存储系统

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；其中，所述衬底包括多个有源区，每个所述有源区沿第一方向延伸，多个所述有源区沿第二方向排布，所述第一方向和所述第二方向平行于所述衬底所在平面，且所述第一方向和所述第二方向相交；

从所述衬底的第一面刻蚀所述衬底，以在所述衬底中形成多个第一沟槽；其中，所述第一沟槽沿所述第一方向延伸，所述第一沟槽位于相邻两个所述有源区之间，并且暴露相邻两个所述有源区的第一侧壁；所述第一侧壁包括沿第三方向排布且相互接触的第一部分和第二部分，所述第二部分和所述第一沟槽的底部连接；所述第三方向垂直于所述衬底所在平面；

在所述第一沟槽内，形成覆盖所述第二部分的位线；

填充所述第一沟槽，形成第一隔离结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述形成覆盖所述第二部分的位线之前，所述制备方法还包括：

形成覆盖所述有源区的顶部和所述第一侧壁的所述第一部分的保护层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述位线包括金属硅化物层；

所述提供衬底，包括：提供硅基半导体衬底；

所述形成覆盖所述第二部分的所述位线，包括：

形成覆盖所述保护层和所述第二部分的第一金属材料层；

对所述硅基半导体衬底进行热处理；其中，覆盖所述第二部分的所述第一金属材料层和所述硅基半导体衬底形成所述金属硅化物层；

在所述热处理后，去除覆盖所述保护层的第一金属材料层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述位线还包括金属层，所述金属层覆盖所述金属硅化物层；

所述形成覆盖所述第二部分的所述位线，还包括：

形成覆盖所述保护层和所述金属硅化物层的第二金属材料层；

去除覆盖所述保护层的第二金属材料层；其中，覆盖所述金属硅化物层的所述第二金属材料层形成所述金属层。

5.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述形成覆盖所述有源区的顶部和所述第一侧壁的所述第一部分的保护层，包括：

形成覆盖所述有源区的顶部、所述第一侧壁和所述第一沟槽底部的第一保护材料层；

形成覆盖所述第一保护材料层的第二保护材料层；

去除位于所述第一沟槽底部的所述第二保护材料层，显露出所述第一保护材料层；

去除位于所述第一沟槽底部和覆盖所述第一侧壁的所述第二部分的所述第一保护材料层；其中，剩余的所述第一保护材料层形成所述保护层；

去除剩余的所述第二保护材料层，暴露所述保护层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

通过所述第一沟槽，对所述第二部分进行刻蚀，以在所述第二部分形成凹槽；其中，在形成所述凹槽之前，所述有源区用于形成所述凹槽的区段沿所述第二方向具有第一尺寸；所述凹槽沿所述第二方向具有第二尺寸，所述第二尺寸小于所述第一尺寸；

所述形成覆盖所述第二部分的位线，还包括：

填充所述凹槽，形成位线。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述有源区包括相对设置的两个所述第一侧壁，每个所述第一侧壁的所述第二部分均覆盖有位线；

所述通过所述第一沟槽，对所述第二部分进行刻蚀，包括：

通过两个所述第一沟槽，对所述有源区的两个所述第一侧壁的所述第二部分进行刻蚀，以在两个所述第二部分均形成凹槽；其中，两个所述凹槽的第二尺寸之和小于所述第一尺寸。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述有源区的两个所述第一侧壁的所述凹槽的第二尺寸之和，与所述第一尺寸的比值范围为20％至70％。