[发明专利]高耐压低导通电阻的鳍式氧化镓PN二极管及制备方法在审
| 申请号： | 202211032511.2 | 申请日： | 2022-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN115312604A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 郑雪峰;何云龙;张超;洪悦华;张豪;马佩军;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/24;H01L21/329 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高耐压低导通电阻的鳍式氧化镓PN二极管及制备方法，主要解决现有同类器件击穿电压低、导通电阻大的问题。其自下而上包括：阴极(1)、氧化镓衬底(2)、n型氧化镓外延层(3)、半导体层(4)、阳极(5)，该氧化镓外延层上刻蚀多个沟槽形成鳍型结构(6)，该半导体层采用p型半导体材料，且完全沉积在鳍型结构的外部，使其与氧化镓外延层形成PN结二极管；该氧化镓衬底的001晶向与鳍型结构的朝向之间设有20°～60°的夹角，通过改变夹角，提高器件的击穿电压；该氧化镓外延层的掺杂载流子浓度为10 |
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| 搜索关键词： | 耐压 通电 氧化 pn 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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