[发明专利]用于无DRAM SSD的企业主存储器缓冲区在审
| 申请号： | 202211026476.3 | 申请日： | 2022-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN116301570A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | J·G·哈恩;A·H·霍兹;S·班尼斯提;M·詹姆斯 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F13/40 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 袁策;赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储系统，该存储系统包括一个或多个数据存储设备、耦接到一个或多个数据存储设备的PCIe交换机以及耦接到PCIe交换机的控制器单元。该一个或多个数据存储设备是无DRAM的。控制器单元包括动态随机存取存储器(DRAM)主存储器缓冲区(HMB)控制器和DRAM池或控制器存储器缓冲区(CMB)控制器、根复合体/端口和DRAM池。该DRAM池包括一个或多个DRAM设备。该一个或多个数据存储设备被配置成与控制器单元交互并将数据存储到控制器单元的DRAM池的DRAM。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 dram ssd 企业 主存储器 缓冲区 | ||
【主权项】：
暂无信息
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