[发明专利]用于无DRAM SSD的企业主存储器缓冲区

权利要求书

1.一种存储系统，所述存储系统包括：

一个或多个数据存储设备，其中所述一个或多个数据存储设备是无DRAM的；

PCIe交换机，所述PCIe交换机耦接到所述一个或多个数据存储设备；和

控制器单元，所述控制器单元耦接到所述PCIe交换机，所述控制器单元包括：

动态随机存取存储器(DRAM)主存储器缓冲区(HMB)控制器；以及

DRAM池，其中所述DRAM池包括一个或多个DRAM设备。

2.根据权利要求1所述的存储系统，其中所述PCIe交换机直接耦接到所述DRAM HMB控制器。

3.根据权利要求1所述的存储系统，其中所述一个或多个数据存储设备中的每个数据存储设备包括：

HMB控制器；

PCIe/NVMe前端单元；

存储器设备管理单元；

存储器设备接口单元；和

存储器设备。

4.根据权利要求1所述的存储系统，其中所述控制器单元充当所述一个或多个数据存储设备的根复合体。

5.根据权利要求1所述的存储系统，其中所述一个或多个数据存储设备不同于所述控制器单元。

6.根据权利要求1所述的存储系统，其中所述控制器单元作为所述一个或多个数据存储设备的对等PCIe设备出现。

7.根据权利要求1所述的存储系统，其中所述DRAM池由所述一个或多个数据存储设备共享。

8.根据权利要求1所述的存储系统，其中所述一个或多个数据存储设备是两个或更多个数据存储设备。

9.根据权利要求1所述的存储系统，其中所述一个或多个数据存储设备中的每个数据存储设备包括第一端口和第二端口，并且其中所述第一端口耦接到所述PCIe交换机。

10.一种存储系统，所述存储系统包括：

第一数据存储设备；

第二数据存储设备，其中所述第一数据存储设备和所述第二数据存储设备是无DRAM的；

PCIe交换机，所述PCIe交换机耦接到所述第一数据存储设备和所述第二数据存储设备；和

控制器单元，所述控制器单元耦接到所述第一数据存储设备和所述第二数据存储设备，所述控制器单元包括：

动态随机存取存储器(DRAM)主存储器缓冲区(HMB)控制器；以及

DRAM池，其中所述DRAM池包括一个或多个DRAM设备。

11.根据权利要求10所述的存储系统，其中所述第一数据存储设备和所述第二数据存储设备各自具有第一端口和第二端口，并且其中所述第一端口耦接到所述PCIe交换机。

12.根据权利要求11所述的存储系统，其中所述第二端口耦接到所述控制器单元。

13.根据权利要求12所述的存储系统，其中所述第二端口耦接到HMB控制器。

14.根据权利要求13所述的存储系统，其中所述HMB控制器设置在所述第一数据存储设备和所述第二数据存储设备中。

15.根据权利要求12所述的存储系统，其中所述第二端口耦接到所述DRAM HMB控制器。

16.根据权利要求10所述的存储系统，其中所述控制器单元被配置成在检测到所述控制器单元的电力故障事件时，将所述DRAM池的数据推送到下列中的任一者：所述第一数据存储设备、所述第二数据存储设备或所述第一数据存储设备和所述数据存储设备两者。