[发明专利]氮化铝单晶复合衬底及其制备方法、紫外发光器件在审
| 申请号： | 202211022438.0 | 申请日： | 2022-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN115295401A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 王新强;袁冶;刘上锋;李泰;康俊杰;罗巍 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/02;C30B33/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 郭莲梅 |
| 地址： | 523808 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种氮化铝单晶复合衬底及其制备方法、紫外发光器件，属于半导体材料领域。制备方法包括：对单侧表面形成有氮化铝薄膜的衬底在炉腔内于退火气氛下进行高温退火，以使氮化铝重结晶，获得氮化铝单晶复合衬底；其中，氮化铝薄膜的表面暴露于退火气氛中，炉腔内放置有与衬底间隔布置的至少一个氮化铝陶瓷件，高温退火能够使氮化铝陶瓷件于氮化铝重结晶之前进行分解以在炉腔内创造富铝气氛。利用上述制备方法的改进，可获得高结晶质量且表面无划损的氮化铝单晶复合衬底，使其应用于紫外发光器件中时能够提高紫外发光器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 铝单晶 复合 衬底 及其 制备 方法 紫外 发光 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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