[发明专利]氮化铝单晶复合衬底及其制备方法、紫外发光器件在审
申请号: | 202211022438.0 | 申请日: | 2022-08-25 |
公开(公告)号: | CN115295401A | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 王新强;袁冶;刘上锋;李泰;康俊杰;罗巍 | 申请(专利权)人: | 松山湖材料实验室 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L33/02;C30B33/02;C30B29/40 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 郭莲梅 |
地址: | 523808 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化 铝单晶 复合 衬底 及其 制备 方法 紫外 发光 器件 | ||
1.一种氮化铝单晶复合衬底的制备方法,其特征在于,包括:
对单侧表面形成有氮化铝薄膜的衬底在炉腔内于退火气氛下进行高温退火,以使氮化铝重结晶,获得所述氮化铝单晶复合衬底;
其中,所述氮化铝薄膜的表面暴露于退火气氛中,所述炉腔内放置有与所述衬底间隔布置的至少一个氮化铝陶瓷件,所述高温退火能够使所述氮化铝陶瓷件于所述氮化铝重结晶之前进行分解以在所述炉腔内创造富铝气氛。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述氮化铝陶瓷件的数量为多个,多个所述氮化铝陶瓷件沿所述衬底的周向间隔布置。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述氮化铝陶瓷件的数量为多个,多个所述氮化铝陶瓷件沿所述衬底的中心对称布置。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述高温退火的压强为0.5-5MPa,所述高温退火的温度为1200-1700℃,所述高温退火的时间为30-400min。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括在所述高温退火完成后,保持所述炉腔内的退火气氛及压强不变的前提下随炉冷却,取出冷却后的所述氮化铝单晶复合衬底,对所述氮化铝单晶复合衬底依次进行表面刻蚀以及化学清洗。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述表面刻蚀包括:将所述氮化铝单晶复合衬底浸渍于质量浓度为0.1-50%的强碱水溶液中进行刻蚀,其中所述刻蚀的时间为5-200min,所述刻蚀的温度为5-60℃。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述化学清洗包括:采用由丙酮与酒精混合所得的清洗液对所述氮化铝单晶复合衬底进行超声清洗。
8.根据权利要求1-4任意一项所述的制备方法,其特征在于,所述氮化铝薄膜的厚度为50nm-10μm。
9.一种氮化铝单晶复合衬底,其特征在于,其由权利要求1-8任意一项所述的制备方法制得。
10.一种紫外发光器件,其特征在于,包括权利要求9所述的氮化铝单晶复合衬底。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松山湖材料实验室,未经松山湖材料实验室许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211022438.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造