[发明专利]晶片堆叠和三维集成装置结构及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202211020842.4 申请日: 2022-08-24
公开(公告)号: CN115527992A 公开(公告)日: 2022-12-27
发明(设计)人: 张任远 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L23/522;H01L23/528
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种晶片堆叠和三维集成装置结构及其形成方法,晶片堆叠包括:第一晶片,该第一晶片包括第一半导体基板;第二晶片,该第二晶片包括第二半导体基板;接合介电质结构,该接合介电质结构包括接合聚合物且接合该第一晶片及该第二晶片;接合互连结构,该接合互连结构延伸穿过该接合介电质结构以接合且电气连接该第一晶片及该第二晶片;以及接合虚拟图案,该接合虚拟图案延伸穿过该接合介电质结构以接合该第一晶片及该第二晶片。该接合虚拟图案为导电的且为电气浮动的。
搜索关键词: 晶片 堆叠 三维 集成 装置 结构 及其 形成 方法
【主权项】:
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