[发明专利]一种半导体结构及存储器有效
| 申请号： | 202211003680.3 | 申请日： | 2022-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN115084273B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 曺奎锡 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王花丽;胡春光 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开实施例公开了一种半导体结构。所述半导体结构包括：衬底和位于所述衬底中的隔离结构，所述隔离结构在所述衬底中限定出有源区，所述有源区包括源极区、漏极区和沟道区；栅极，所述栅极覆盖所述沟道区；其中，所述栅极包括沿第一方向延伸的主体部，所述源极区和所述漏极区位于所述主体部在第二方向上的两侧，所述第二方向垂直于所述第一方向；所述沟道区包括位于所述主体部正下方的第一沟道区，在所述第一沟道区与所述隔离结构之间的界面处，所述第一沟道区具有凹陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 存储器 | ||
【主权项】：
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