[发明专利]一种半导体结构及存储器

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底和位于所述衬底中的隔离结构，所述隔离结构在所述衬底中限定出有源区，所述有源区包括源极区、漏极区和沟道区；

栅极，所述栅极覆盖所述沟道区；其中，

所述栅极包括沿第一方向延伸的主体部，所述源极区和所述漏极区位于所述主体部在第二方向上的两侧，所述第二方向垂直于所述第一方向；

所述沟道区包括位于所述主体部正下方的第一沟道区，在所述第一沟道区与所述隔离结构之间的界面处，所述第一沟道区具有凹陷；

所述隔离结构包括沟槽以及覆盖所述沟槽的底部和侧壁的第一氧化物层，所述第一氧化物层与所述第一沟道区接触，且所述第一氧化物层在所述凹陷中的厚度大于所述第一氧化物层在除所述凹陷之外的其他位置处的厚度；

所述隔离结构还包括位于所述沟槽中且覆盖所述第一氧化物层的氮化物层以及位于所述沟槽中且覆盖所述氮化物层的第二氧化物层，所述氮化物层与所述第二氧化物层位于所述凹陷之外。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

所述源极区和所述沟道区之间具有交界线段；

所述第一沟道区包括第一子区；

在沿所述第二方向平移所述交界线段的情况下，所述交界线段经过所述第一子区以及所述凹陷的至少部分区域。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

所述凹陷的内部沿所述第二方向上的宽度小于所述凹陷的开口处沿所述第二方向上的宽度。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，

所述第一沟道区还包括第二子区，所述第二子区位于所述凹陷的靠近所述漏极区的一侧，其中，在沿所述第二方向平移所述源极区与所述沟道区的交界线段的情况下，所述交界线段不经过所述第二子区。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，

所述第一沟道区还包括第三子区，所述第三子区位于所述凹陷的靠近所述源极区的一侧，其中，在沿所述第二方向平移所述源极区与所述沟道区的交界线段的情况下，所述交界线段不经过所述第三子区。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，

所述第二子区和/或所述第三子区在所述衬底平面上的正投影的面积小于所述凹陷在所述衬底平面上的正投影的面积。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，

所述凹陷沿所述第一方向的延伸长度大于所述凹陷的开口处沿所述第二方向上的宽度。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，

所述第一沟道区与所述隔离结构之间包括两个分立的交界面，其中，在至少一个所述交界面处，所述第一沟道区包括多个所述凹陷。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，

所述第一沟道区还包括第四子区，所述第四子区位于相邻的所述凹陷之间，其中，在沿所述第二方向平移所述源极区与所述沟道区的交界线段的情况下，所述交界线段不经过所述第四子区。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

所述栅极还包括从所述主体部突出的第一延伸部，所述第一延伸部沿所述第二方向延伸，所述第一延伸部位于所述主体部靠近所述漏极区的一侧，所述沟道区还包括第二沟道区，所述第二沟道区被所述第一延伸部覆盖。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述第二方向平移所述源极区与所述沟道区的交界线段的情况下，所述交界线段经过所述第二沟道区的至少部分区域。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，

所述栅极还包括从所述主体部突出的第二延伸部，所述第二延伸部位于所述主体部的靠近所述源极区的一侧，所述沟道区还包括第三沟道区，所述第三沟道区被所述第二延伸部覆盖。