[发明专利]高亮发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210975513.9 | 申请日： | 2022-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN115458652A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 刘小星;尹灵峰;高艳龙;陈沛然;马国强 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种高亮发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括：衬底、外延层、复合阻挡层、第一电极和第二电极；所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述外延层具有露出所述第一半导体层的凹槽；所述复合阻挡层位于所述第二半导体层的表面，所述复合阻挡层包括依次层叠的第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层的折射率高于所述第二阻挡层的折射率；所述第一电极位于所述凹槽内且与所述第一半导体层电性相连，所述第二电极位于所述复合阻挡层的表面，且与所述第二半导体层电性相连。本公开能减少电极对光线的吸收，提升发光二极管的亮度和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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