[发明专利]高亮发光二极管及其制备方法

说明书

本公开提供了一种高亮发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括：衬底、外延层、复合阻挡层、第一电极和第二电极；所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述外延层具有露出所述第一半导体层的凹槽；所述复合阻挡层位于所述第二半导体层的表面，所述复合阻挡层包括依次层叠的第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层的折射率高于所述第二阻挡层的折射率；所述第一电极位于所述凹槽内且与所述第一半导体层电性相连，所述第二电极位于所述复合阻挡层的表面，且与所述第二半导体层电性相连。本公开能减少电极对光线的吸收，提升发光二极管的亮度和发光效率。

技术领域

本公开涉及光电子制造技术领域，特别涉及一种高亮发光二极管及其制备方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。

相关技术中，发光二极管包括依次层叠的衬底、外延层和电流阻挡层，电极通常设置在电流阻挡层的上方，以阻挡大部分电流直接进入外延层与电极相连的区域，让更多电流扩展至外延层的其他区域。

由于外延层发光时，光线容易依次穿过外延层和电流阻挡层，照射到电极的表面，被电极吸收，从而降低发光二极管的亮度和发光效率。

发明内容

本公开实施例提供了一种高亮发光二极管及其制备方法，能减少电极对光线的吸收，提升发光二极管的亮度和发光效率。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：衬底、外延层、复合阻挡层和第二电极；所述复合阻挡层位于所述外延层的表面，所述复合阻挡层包括依次层叠的第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层的折射率高于所述第二阻挡层的折射率；所述第二电极位于所述复合阻挡层远离所述衬底的表面，且与所述外延层电性相连。

在本公开实施例的一种实现方式中，所述第一阻挡层为氧化铝层，所述第二阻挡层为氧化硅层。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述第二阻挡层的厚度与第一阻挡层的厚度之比为2:1至5:1。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述第二电极在所述衬底上的正投影位于所述复合阻挡层在所述衬底上的正投影内。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第二半导体层远离所述衬底的表面具有容纳槽，所述复合阻挡层位于所述容纳槽内；所述发光二极管还包括第一电极，所述外延层具有露出所述第一半导体层的凹槽，所述第一电极位于所述凹槽内且与所述第一半导体层电性相连。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述第一阻挡层位于所述容纳槽的底面和所述容纳槽的侧壁，所述第一阻挡层隔开所述第二半导体层和所述第二阻挡层。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述容纳槽的侧壁与所述容纳槽的底面之间的夹角为钝角。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述复合阻挡层远离所述衬底的表面与所述第二半导体层远离所述衬底的表面平齐。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述发光二极管还包括透明导电层，所述透明导电层位于所述第二半导体层和所述复合阻挡层远离所述衬底的表面，所述第二电极位于所述透明导电层远离所述衬底的表面。

本公开实施例提供了一种发光二极管的制备方法，所述发光二极管的制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成外延层；在所述外延层的表面上形成复合阻挡层，所述复合阻挡层包括依次层叠的第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层的折射率高于所述第二阻挡层的折射率；制作第二电极，所述第二电极位于所述复合阻挡层的表面，且与所述外延层电性相连。