[发明专利]一种MOCVD设备生长结果异常溯源方法及系统在审

专利信息
申请号: 202210968280.X 申请日: 2022-08-12
公开(公告)号: CN115293067A 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 王钢;王杰;裴艳丽;罗铁成;何宜聪 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: G06F30/28 分类号: G06F30/28;C30B25/16;G06N3/04
代理公司: 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 代理人: 范伟民
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种MOCVD设备生长结果异常溯源方法及系统,该方法包括:对MOCVD反应腔进行CFD建模,生成CFD模型;确定工艺参数取值范围并利用CFD模型进行模拟仿真实验,得到模拟仿真工艺参数和模拟仿真结果;根据模拟仿真工艺参数和模拟仿真结果进行建模,生成神经网络模型;基于神经网络模型将异常生长结果与工艺参数进行匹配,得到异常工艺参数。该系统包括:CFD构建模块、模拟仿真模块、神经网络构建模块和匹配模块。通过使用本发明,能够快速精准地找出异常工艺参数且提高效率。本发明作为一种MOCVD设备生长结果异常溯源方法及系统,可广泛应用于MOCVD异常检测领域。
搜索关键词: 一种 mocvd 设备 生长 结果 异常 溯源 方法 系统
【主权项】:
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