[发明专利]一种LED外延新型应力释放层生长方法及该方法制备的芯片在审
| 申请号： | 202210953377.3 | 申请日： | 2022-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN115347087A | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 吕腾飞;王淑娇;郭园;祝光辉;展望;芦玲 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/24 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 邹文玉 |
| 地址： | 223001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
一种LED外延新型应力释放层生长方法，具体的方法包括提供一衬底，以及在衬底表面依次生长缓冲层、u型GaN层、重掺Si的n型GaN层、应力释放层、发光层和p型GaN层；所述的应力释放层的生长方法为：依次/循环生长第一超晶格层和第二超晶格层；所述的第一超晶格层包括周期性交替生长的GaN层和In |
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| 搜索关键词： | 一种 led 外延 新型 应力 释放 生长 方法 制备 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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