[发明专利]用于确定导电型碳化硅晶片的硅面和碳面的方法在审
| 申请号： | 202210936141.9 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN115436663A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 李辉;陈小龙;王国宾;盛达;王文军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G01Q60/30 | 分类号： | G01Q60/30 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于确定导电型碳化硅晶片的硅面和碳面的方法，其包括如下步骤：(1)通过SKPFM测定导电型碳化硅晶片的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面分别与导电针尖的接触电势差，获得第一表面的接触电势差和第二表面的接触电势差；(2)将所述第一表面的接触电势差和第二表面的接触电势差进行比较；其中，如果所述第一表面的接触电势差大于第二表面的接触电势差，则所述第一表面为碳面，所述第二表面为硅面；如果所述第一表面的接触电势差小于第二表面的接触电势差，则所述第一表面为硅面，所述第二表面为碳面。本发明的方法是一种高效、无损、高可靠性的用于确定SiC晶片的Si面和C面的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 确定 导电 碳化硅 晶片 方法 | ||
【主权项】：
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