[发明专利]用于确定导电型碳化硅晶片的硅面和碳面的方法在审
| 申请号： | 202210936141.9 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN115436663A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 李辉;陈小龙;王国宾;盛达;王文军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G01Q60/30 | 分类号： | G01Q60/30 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 确定 导电 碳化硅 晶片 方法 | ||
1.一种用于确定导电型碳化硅晶片的硅面和碳面的方法，其包括如下步骤：
(1)通过SKPFM测定导电型碳化硅晶片的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面分别与导电针尖的接触电势差，获得第一表面的接触电势差和第二表面的接触电势差；
(2)将所述第一表面的接触电势差和第二表面的接触电势差进行比较；其中，如果所述第一表面的接触电势差大于第二表面的接触电势差，则所述第一表面为碳面，所述第二表面为硅面；如果所述第一表面的接触电势差小于第二表面的接触电势差，则所述第一表面为硅面，所述第二表面为碳面。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(1)中的通过SKPFM测定导电型碳化硅晶片的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面分别与导电针尖的接触电势差是通过包括如下步骤的方法进行的：
(i)将AFM测试设备的测试针尖换成导电针尖，并将AFM的测试模式调整到SKPFM测试模式；
(ii)将碳化硅晶片水平置于AFM测试设备样品载物台上；
(iii)然后进行SKPFM测量，得到碳化硅晶片的第一表面与导电针尖的接触电势差；
(iv)将碳化硅晶片翻转，然后重复步骤(ii)和(iii)，得到碳化硅晶片的第二表面与导电针尖的接触电势差。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述步骤(ii)中的将碳化硅晶片水平置于AFM测试设备样品载物台上是通过包括如下步骤的方法进行的：
用机械泵或者导电胶带将碳化硅晶片吸附或者粘附至AFM测试设备样品载物台上。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述导电胶带为导电铜胶带或者导电碳胶带。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电型碳化硅晶片的尺寸为1-12英寸。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述导电型碳化硅晶片的尺寸为2-10英寸。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电型碳化硅晶片的厚度为50-1500微米。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述导电型碳化硅晶片的厚度为100-1000微米。
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