[发明专利]感测装置及其制造方法在审
申请号: | 202210911635.1 | 申请日: | 2022-07-27 |
公开(公告)号: | CN115101550A | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
发明(设计)人: | 张家铭;陈瑞沛;蔡佳修;陈俊霖 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01D5/12 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 闫华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提出一种感测装置及其制造方法。感测装置包括基板、开关元件、感测元件以及共用电极。开关元件位于基板上,且包括源极。感测元件位于开关元件的一侧,且包括:下电极、光电转换层以及上电极。下电极电性连接源极。光电转换层位于下电极上。上电极位于光电转换层上。共用电极电性连接上电极,且与源极属于相同膜层。此外,还提出一种感测装置的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的