[发明专利]感测装置及其制造方法

权利要求书

1.一种感测装置，包括：

基板；

开关元件，位于所述基板上，且包括源极；

感测元件，位于所述开关元件的一侧，且包括：

下电极，电性连接所述源极；

光电转换层，位于所述下电极上；以及

上电极，位于所述光电转换层上；以及

共用电极，电性连接所述上电极，且与所述源极属于相同膜层。

2.如权利要求1所述的感测装置，其中所述开关元件还包括顶栅极，且所述顶栅极与所述下电极属于相同膜层。

3.如权利要求2所述的感测装置，其中所述开关元件还包括半导体层及底栅极，且所述半导体层位于所述底栅极与所述顶栅极之间。

4.如权利要求3所述的感测装置，其中所述底栅极以及所述顶栅极环绕所述半导体层。

5.如权利要求1所述的感测装置，还包括数据线，且所述数据线与所述源极属于相同膜层。

6.如权利要求5所述的感测装置，还包括扫描线，且在所述基板的法线方向上，所述扫描线与所述数据线之间的间距为

7.如权利要求1所述的感测装置，其中所述光电转换层完全重叠所述下电极，且所述上电极完全重叠所述光电转换层。

8.一种感测装置，包括：

基板；

开关元件，位于所述基板上，且包括：

半导体层；以及

栅极，环绕所述半导体层；以及

感测元件，位于所述基板上，且包括：

下电极；

上电极，重叠所述下电极；以及

光电转换层，位于所述上电极与所述下电极之间。

9.如权利要求8所述的感测装置，其中所述栅极包括顶栅极及底栅极，且所述顶栅极与所述下电极属于相同膜层。

10.如权利要求9所述的感测装置，还包括扫描线，且所述扫描线与所述底栅极属于相同膜层。

11.如权利要求8所述的感测装置，其中所述开关元件还包括源极，且所述源极电性连接所述半导体层与所述下电极。

12.如权利要求11所述的感测装置，其中所述栅极于所述基板的正投影与所述源极于所述基板的正投影之间的最小间距为0至5μm。

13.如权利要求11所述的感测装置，还包括共用电极，电性连接所述上电极，且与所述源极属于相同膜层。

14.一种感测装置的制造方法，包括：

形成半导体层于基板之上；

形成第一绝缘层于所述半导体层上；

形成毯覆的导体层于所述第一绝缘层及所述基板上；

形成毯覆的半导体叠层于所述导体层上；

形成毯覆的透明电极层于所述半导体叠层上；

图案化所述透明电极层以形成上电极；

图案化所述半导体叠层以形成光电转换层；以及

图案化所述导体层以形成下电极及顶栅极。

15.如权利要求14所述的感测装置的制造方法，还包括在所述形成半导体层之前形成底栅极及扫描线于所述基板上。

16.如权利要求15所述的感测装置的制造方法，其中所述顶栅极实体连接所述底栅极。

17.如权利要求15所述的感测装置的制造方法，其中所述顶栅极及所述底栅极环绕所述半导体层。