[发明专利]晶圆加热转移装置和化学气相沉积设备在审
| 申请号： | 202210888360.4 | 申请日： | 2022-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN114975210A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 戴建波;孙文彬;刘龙龙 | 申请（专利权）人： | 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/687;H01L21/205;H01L21/67;C23C16/458;C23C16/46 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 226400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种晶圆加热转移装置和化学气相沉积设备，涉及半导体技术领域。晶圆加热转移装置包括加热盘、转移手指和驱动机构，加热盘中部开设有通孔，在通孔的周围还开设有多个凹槽，加热盘用于承载晶圆、并对晶圆加热；转移手指安装在凹槽内，转移手指用于转移晶圆；驱动机构安装在通孔内，驱动机构与转移手指连接，驱动机构用于带动转移手指相对于加热盘升降、旋转。其中，凹槽的形状与转移手指的形状相适配，转移手指包括主干和多个分支，多个分支连接在主干的同一侧，相邻两个转移手指的分支用于支撑起同一个晶圆。晶圆加热转移装置能够提高晶圆受热的均匀性，使晶圆上产生的沉积膜的厚度均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 转移 装置 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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