[发明专利]晶圆加热转移装置和化学气相沉积设备

说明书

本发明的实施例提供了一种晶圆加热转移装置和化学气相沉积设备，涉及半导体技术领域。晶圆加热转移装置包括加热盘、转移手指和驱动机构，加热盘中部开设有通孔，在通孔的周围还开设有多个凹槽，加热盘用于承载晶圆、并对晶圆加热；转移手指安装在凹槽内，转移手指用于转移晶圆；驱动机构安装在通孔内，驱动机构与转移手指连接，驱动机构用于带动转移手指相对于加热盘升降、旋转。其中，凹槽的形状与转移手指的形状相适配，转移手指包括主干和多个分支，多个分支连接在主干的同一侧，相邻两个转移手指的分支用于支撑起同一个晶圆。晶圆加热转移装置能够提高晶圆受热的均匀性，使晶圆上产生的沉积膜的厚度均匀。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种晶圆加热转移装置和化学气相沉积设备。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是利用射频，使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所要求的薄膜。

现有的化学气相沉积设备中，由于是将热盘上开设容纳转移手指的凹槽，控制两根转移手指从热盘的凹槽中升起，即可将晶圆抬起来进行转移，而由于凹槽的尺寸以及开设位置，使晶圆的较大面积都处在凹槽的正上方，然而热盘上凹槽的位置对晶圆的加热效果较差，热盘上未开槽的实体位置对晶圆的加热效果较好，导致晶圆的受热不均匀，晶圆上产生的沉积膜的厚度不满足要求。

发明内容

本发明的目的包括提供了一种晶圆加热转移装置和化学气相沉积设备，其能够提高晶圆受热的均匀性，使晶圆上产生的沉积膜的厚度均匀。

本发明的实施例可以这样实现：

第一方面，本发明提供一种晶圆加热转移装置，晶圆加热转移装置包括：

加热盘，中部开设有通孔，在通孔的周围还开设有多个凹槽，加热盘用于承载晶圆、并对晶圆加热；

转移手指，安装在凹槽内，转移手指用于转移晶圆；

驱动机构，安装在通孔内，驱动机构与转移手指连接，驱动机构用于带动转移手指相对于加热盘升降、旋转；

其中，凹槽的形状与转移手指的形状相适配，转移手指包括主干和多个分支，多个分支连接在主干的同一侧，相邻两个转移手指的分支用于支撑起同一个晶圆。

本发明实施例提供的晶圆加热转移装置的有益效果包括：

1.将每个转移手指设计为主干与分支的组合，再利用相邻两个转移手指的分支支撑起同一个晶圆，这样，避免容纳主干的凹槽部分穿过加热盘上用于加热晶圆的区域，只有分支会占用一小部分加热盘上用于加热晶圆的区域，从而增大加热盘上用于加热晶圆的有效面积；

2.分支支撑在晶圆的边缘，对应的用于容纳分支的凹槽部分也位于晶圆的边缘，晶圆中部的大部分区域都是正对加热盘上有效的加热面积，使整个晶圆的受热均匀性较好，晶圆上产生的沉积膜的厚度更加均匀。

在可选的实施方式中，支撑起同一个晶圆的两个转移手指关于二者的中心线呈对称设置，支撑起同一个晶圆的两个转移手指的分支相向设置。

这样，支撑起同一个晶圆的两个转移手指只有分支的部分区域与晶圆接触，对应的，加热盘上的凹槽只有用于容纳分支的部分区域处在晶圆的正下方，使加热盘上对晶圆的有效加热面积最大化。

在可选的实施方式中，晶圆在加热盘上的正投影位于支撑起同一个晶圆的两个转移手指的主干之间。

这样，转移手指的主干以及凹槽中用于容纳主干的部分不会占用加热盘上对晶圆的有效加热面积，使加热盘上对晶圆的有效加热面积最大化。

在可选的实施方式中，支撑起同一个晶圆的两个转移手指的主干之间的距离从连接驱动机构的一端到另一端逐渐远离增大。

在可选的实施方式中，支撑起同一个晶圆的两个转移手指的主干之间的夹角a为：50°~70°。