[发明专利]射频芯片RF-HTOL老化实验系统在审
| 申请号： | 202210877122.3 | 申请日： | 2022-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN115113025A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 李浩;李振刚 | 申请（专利权）人： | 北京唯捷创芯精测科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 张立君 |
| 地址： | 100085 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频芯片RF‑HTOL老化实验系统，包括：射频信号源模块、分路放大传输模块和接收测试模块；射频信号源模块用于单路输出设定频率和功率的第一射频信号；分路放大传输模块用于将第一射频信号进行放大并输出多路第二射频信号；接收测试模块设置于加热装置内，加热装置用于为射频芯片提供老化测试所需的密闭环境和温度；接收测试模块用于安装多个待测试的射频芯片，以及用于将接收的每路第二射频信号转换为多路第三射频信号，并将每路第三射频信号输入至一个射频芯片，以进行RF‑HTOL老化测试。本发明能够提高射频芯片的测试效率，满足多种不同类型芯片的批量射频高温寿命老化测试。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 芯片 rf htol 老化 实验 系统 | ||
【主权项】：
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