[发明专利]射频芯片RF-HTOL老化实验系统在审
申请号: | 202210877122.3 | 申请日: | 2022-07-25 |
公开(公告)号: | CN115113025A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 李浩;李振刚 | 申请(专利权)人: | 北京唯捷创芯精测科技有限责任公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 张立君 |
地址: | 100085 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 芯片 rf htol 老化 实验 系统 | ||
本发明公开了一种射频芯片RF‑HTOL老化实验系统,包括:射频信号源模块、分路放大传输模块和接收测试模块;射频信号源模块用于单路输出设定频率和功率的第一射频信号;分路放大传输模块用于将第一射频信号进行放大并输出多路第二射频信号;接收测试模块设置于加热装置内,加热装置用于为射频芯片提供老化测试所需的密闭环境和温度;接收测试模块用于安装多个待测试的射频芯片,以及用于将接收的每路第二射频信号转换为多路第三射频信号,并将每路第三射频信号输入至一个射频芯片,以进行RF‑HTOL老化测试。本发明能够提高射频芯片的测试效率,满足多种不同类型芯片的批量射频高温寿命老化测试。
技术领域
本发明属于集成电路芯片测试领域,更具体地,涉及一种射频芯片RF-HTOL老化实验系统。
背景技术
在面向集成电路的芯片封测领域,需要对芯片产品进行可靠性实验,可靠性试验是为了解、评价、分析和提高产品的可靠性而进行的各种试验的总称。可靠性试验的目的是:发现产品在设计、材料和工艺等方面的各种缺陷,经分析和改进,使产品可靠性逐步得到增长,最终达到预定的可靠性水平;为改善产品的战备完好性、提高任务成功率、减少维修保障费用提供信息;确认是否符合规定的可靠性定量要求。
目前公司所有射频芯片都需要做可靠性试验,可靠性试验的项目有多种,其中针对射频芯片的RF-HTOL(Radio Frequency-High Temperature Operation Life,射频高温运行寿命)老化试验又是重中之重,是一个非常关键的可靠性测试项目,从中可以得到很多产品的信息,比如早期失效率和寿命分布等。
RF-HTOL老化试验是测试射频芯片在射频工作条件下的高温高压工作的耐受力,其实验环境为结温125℃,模拟射频芯片正常工作的duty cycle(占空比)模式,且输入端加RF信号,输出端加50ohm负载。试验时长需要1000小时,试验环境密闭。
传统方案一是将信号源的输出的信号通过一个高性能、大体积的功率放大仪器进行信号功率放大,然后再经过功分器将信号分路给待测芯片。由于只有一级放大器,且信号经过功分器有损耗,所以功分器的路数不能太多或者级联程度不能太高,这就导致一次性所能测试的射频芯片不会太多,测试效率低下,并且此方案对功率放大器的性能要求很高,仪器价格很高,提高了成本,其次,仪器所支持的带宽小,适用性差。
传统方案二是将信号源的输出的信号通过一个功率放大器进行信号功率放大,然后再经过射频开关将信号分别给待测芯片,系统通过一个专门的控制器控制射频开关状态。此方案虽然对PA的性能要求没有方案一的要求高,可以节省一些成本,但是此方案由于是用控制器控制射频开关通路状态,每个时间点只有一条通路是导通状态,将射频信号分时的传输给待测芯片,所以其每个待测芯片所接收到的射频信号不是实时的、同步的,而是间歇性的,导致测试时间长、效率低。
发明内容
本发明的目的是提出一种射频芯片RF-HTOL老化实验系统,实现提高射频芯片的测试效率,满足多种不同类型芯片的批量高温寿命老化测试。
为实现上述目的,本发明提出了一种射频芯片RF-HTOL老化实验系统,包括:射频信号源模块、分路放大传输模块和接收测试模块;
所述射频信号源模块用于单路输出设定频率和设定功率的第一射频信号;
所述分路放大传输模块包括第一输入端口和多个第一输出端口,所述射频信号源的输出端与所述分路放大传输模块的输入端口连接,所述分路放大传输模块用于将所述第一射频信号进行放大并输出多路第二射频信号;
所述接收测试模块设置于加热装置内,所述加热装置用于为所述射频芯片提供老化测试所需的密闭环境和温度;
所述接收测试模块包括多个第二输入端口,每个所述第二输入端口与一个所述第一输出端口连接,所述接收测试模块用于安装多个待测试的射频芯片,以及用于将接收的每路第二射频信号转换为多路第三射频信号,并将每路所述第三射频信号输入至一个射频芯片,以进行老化测试。
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