[发明专利]荷正电AgO@MgO中空复合微球制备方法有效

专利信息
申请号: 202210876124.0 申请日: 2022-07-25
公开(公告)号: CN115121193B 公开(公告)日: 2023-08-08
发明(设计)人: 沈文宁;葛延峰;邱欣宇;冯拉俊;马勇 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: B01J13/02 分类号: B01J13/02;B01J13/22;B01J20/06;B01J20/30;A01N59/16;A01N25/08;A01P1/00
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 许志蛟
地址: 710048 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种荷正电AgO@MgO中空复合微球制备方法,具体包括如下步骤:步骤1,制备得到羟基化处理的胶体SiO2球;步骤2,根据步骤1所得产物制备Mg(OH)2@SiO2复合球;步骤3,将步骤2所得产物加入银氨溶液中,搅拌吸附反应,后离心分离获得含Ag+的Mg(OH)2@SiO2和上清液,计算Mg(OH)2@SiO2吸附的银离子量摩尔量n;步骤4,制备AgCl@MgO@SiO2复合材料;步骤5,根据步骤4所得产物制备AgO@MgO中空复合微球,解决了现有AgO中空微球细菌吸附效率低、成本高的问题。
搜索关键词: 正电 ago mgo 中空 复合 制备 方法
【主权项】:
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