[发明专利]荷正电AgO@MgO中空复合微球制备方法有效

专利信息
申请号: 202210876124.0 申请日: 2022-07-25
公开(公告)号: CN115121193B 公开(公告)日: 2023-08-08
发明(设计)人: 沈文宁;葛延峰;邱欣宇;冯拉俊;马勇 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: B01J13/02 分类号: B01J13/02;B01J13/22;B01J20/06;B01J20/30;A01N59/16;A01N25/08;A01P1/00
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 许志蛟
地址: 710048 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 正电 ago mgo 中空 复合 制备 方法
【说明书】:

本发明公开了一种荷正电AgO@MgO中空复合微球制备方法,具体包括如下步骤:步骤1,制备得到羟基化处理的胶体SiOsubgt;2/subgt;球;步骤2,根据步骤1所得产物制备Mg(OH)subgt;2/subgt;@SiOsubgt;2/subgt;复合球;步骤3,将步骤2所得产物加入银氨溶液中,搅拌吸附反应,后离心分离获得含Agsupgt;+/supgt;的Mg(OH)subgt;2/subgt;@SiOsubgt;2/subgt;和上清液,计算Mg(OH)subgt;2/subgt;@SiOsubgt;2/subgt;吸附的银离子量摩尔量n;步骤4,制备AgCl@MgO@SiOsubgt;2/subgt;复合材料;步骤5,根据步骤4所得产物制备AgO@MgO中空复合微球,解决了现有AgO中空微球细菌吸附效率低、成本高的问题。

技术领域

本发明属于无机复合材料中空微球制备技术领域,涉及一种荷正电AgO@MgO中空复合微球制备方法。

背景技术

抗生素的滥用造成耐药细菌的产生,导致抗生素失效,细菌感染难以治疗。高价AgO材料具有杀菌活性更强、细菌不易产生耐药性的优点,特别是高比表面积的AgO中空微球活性位点更多、杀菌效率更强,是杀灭耐药细菌的有效杀菌剂。但银是贵金属,使得高比表面积的AgO中空微球成本昂贵。此外,AgO材料在使用环境中呈负电性,而细菌往往带负电,使得AgO杀菌剂与细菌间存在同性排斥的问题,对细菌的吸附效率低,在实际使用中杀菌速度仍不够理想。因此,制备既具有高比表面积AgO中空微球的优点,又能快速吸附细菌且成本低的AgO基杀菌剂备受关注。

荷正电材料是一种带有正电荷的新型功能材料,依靠正、负电荷的静电吸引作用对带负电的细菌进行吸附,从而提高对细菌的吸附效率。中国专利CN111701466A公开了一种具有大比表面积、zeta电位高、稳定性好的多尺度微纳米荷正电复合材料及其制备方法,即以含有氧化铝、氧化锌、氧化铁、氢氧化铝、氢氧化铁等的一种或几种的多尺度微纳米荷正电金属氧化物为荷正电剂,通过粘合剂粘合制得微纳米荷正电复合材料,能够通过电荷吸附去除水中带负电的污染物且去除效率高。中国专利CN113144753A公开了一种带荷正电性的高效空气过滤熔喷材料及制备方法,即利用聚铵化反应制备得到带荷正电的熔喷材料,并通过超声分散负载了纳米银颗粒,制备得到负载纳米粒子的荷正电聚酰胺熔喷材料,通过电荷吸附和银杀菌作用,实现高过滤效率和强杀菌效果。为了解决AgO中空微球吸附细菌效率低和成本高的问题,本发明先在胶体SiO2球表面引入荷正电性强且成本低廉的MgO作为壳层,再通过强静电吸附和氧化获得AgO壳层,通过碱浸泡除去SiO核,制备出荷正电中空复合材料,利用MgO的荷正电吸附效应提高AgO材料对细菌的吸附效率,加快AgO与细菌接触速度,从而进一步增强AgO的杀菌活性,同时MgO的引入可降低AgO成本。

发明内容

本发明的目的是提供一种荷正电AgO@MgO中空复合微球及其制备方法,解决了现有AgO中空微球细菌吸附效率低、成本高的问题。

本发明所采用的技术方案是,荷正电AgO@MgO中空复合微球制备方法,具体包括如下步骤:

步骤1,制备得到羟基化处理的胶体SiO2球;

步骤2,根据步骤1所得产物制备Mg(OH)2@SiO2复合球;

步骤3,将Mg(OH)2@SiO2复合球加入银氨溶液中,搅拌吸附反应,后离心分离获得含Ag+的Mg(OH)2@SiO2和上清液,测量上清液中的银离子浓度,计算Mg(OH)2@SiO2吸附的银离子量摩尔量n;

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