[发明专利]基于氢气处理的氧化镓二极管开启电压降低方法在审
| 申请号： | 202210864506.1 | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115148605A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 郑雪峰;岳少忠;张翔宇;洪悦华;张方;苑子健;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/872;H01L29/24 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于氢气处理的氧化镓二极管开启电压降低方法，主要解决现有氧化镓二极管开启电压高的问题。其方案是：根据氢气易发生爆炸的浓度及氢原子在氧化镓材料中的扩散速度，选取氢气浓度为0.1％～4％和75.6％～100％；选取多只氧化镓二极管器件将其单层摆放固定在存储罐内的底部并密封，再往存储罐内充入所选的氢气，直到罐内压强达到0.1～3MPa；选取恒温箱设备，根据氢气的燃点温度设置其工作温度为20～350℃；将充有氢气且内部放有器件的存储罐放入恒温箱中，打开电源静置储存1～100天后关闭电源取出器件，实现对器件开启电压的降低。本发明有效降低了氧化镓二极管的开启电压，可应用于高频电力电子系统。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氢气 处理 氧化 二极管 开启 电压 降低 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210864506.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
