[发明专利]基于氢气处理的氧化镓二极管开启电压降低方法

权利要求书

1.一种基于氢气处理的氧化镓二极管开启电压降低方法，其特征在于，包括如下步骤：

根据氢气易发生爆炸的浓度为4.0％～75.6％以及氢原子在氧化镓材料中的扩散速度，选取氢气浓度为0.1％～4％和75.6％～100％；

选取多只Ga₂O₃二极管器件按照与存储罐内底部相同的圆周单层平铺摆放后固定在存储罐内的底部，并将存储罐密封，再通过存储罐内置的单向充气口往存储罐内充入所选的氢气，直到存储罐内的压强达到0.1～3MPa；

选取恒温箱设备，根据氢气的燃点温度为400℃，设置恒温箱设备温度为20～350℃；

检查存储罐的密封情况无误后，将充有氢气的存储罐放入恒温箱中，检查恒温箱的参数设置无误后，打开电源，直到静置储存时间达到1～100天后关闭电源，取出器件，实现对其开启电压的降低。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：选取的Ga₂O₃二极管的条件必须同时满足如下两个条件：

其阳极金属必须包含Pt、Ni、Pd、Mo、Rh过渡金属中的一种或多种；

其阳极表面不被任何钝化层覆盖。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：存储罐内所充氢气的压强选择，是根据密闭存储罐的耐压值，即存储罐的耐压范围为0.1～3MPa，以此确定存储罐内所充氢气的压强为0.1～3MPa。