[发明专利]一种改进型SG IGBT的制备方法及应用在审
| 申请号： | 202210861671.1 | 申请日： | 2022-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN115483284A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 王波;张庆雷 | 申请（专利权）人： | 上海林众电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及H01L29/00技术领域，具体涉及一种改进型SG IGBT的制备方法及应用。一种改进型SG IGBT的制备方法，包括以下步骤：S1.通过在晶圆底层上进行刻蚀形成沟槽；S2.通过在沟槽处的硅层表面进行氧化形成Gate Oxide，或进行氮化硅的沉积，形成SiN层；S3.在Gate Oxide上进行多晶硅的沉积形成Poly层；S4.在Poly层上进行蚀形成Poly层；S5.经过离子注入硼，进行表面沉积形成氧化层，通过对接触孔刻蚀，经过离子注入含硼化合物，在高温热过程退火处理后形成P+区，并通过金属淀积形成金属层。通过本发明提供的制备方法可以获得具有提升SG IGBT的击穿电压，并降低了开通损耗和栅极‑集电极电容的改进型SG IGBT的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进型 sg igbt 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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