[发明专利]一种改进型SG IGBT的制备方法及应用

权利要求书

1.一种改进型SG IGBT的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.通过在晶圆底层上进行刻蚀形成沟槽；

S2.通过在沟槽处的硅层表面进行氧化形成Gate Oxide，或进行氮化硅的沉积，形成SiN层；

S3.在Gate Oxide上进行多晶硅的沉积形成Poly层，或在SiN层上通过各向异性刻蚀形成SiN Spacer；

S4.在Poly层上进行蚀形成Poly层或Poly Spacer；

S5.经过离子注入硼，进行表面沉积形成氧化层，通过对接触孔刻蚀，经过离子注入含硼化合物，在高温热过程退火处理后形成P+区，并通过金属淀积形成金属层。

2.如权利要求1所述的改进型SG IGBT的制备方法，其特征在于，所述S1中在晶圆底层上通过离子注入硼，通过推阱处理形成Pbody区，通过离子注入砷，经过退火处理形成N+区，通过在形成N+区的基底层上进行刻蚀形成沟槽。

3.如权利要求2所述的改进型SG IGBT的制备方法，其特征在于，所述S2中在沟槽处的硅层表面进行氧化形成Gate Oxide，在Gate Oxide上进行多晶硅的沉积形成Poly层。

4.如权利要求1-3任一项所述的改进型SG IGBT的制备方法，其特征在于，所述S4中通过各向异性刻蚀成Poly层或Poly Spacer。

5.如权利要求4所述的改进型SG IGBT的制备方法，其特征在于，所述S5中经过离子注入硼，经过推阱处理形成P型掺杂层，并在P型掺杂层上进行表面沉积形成氧化层，通过对接触孔刻蚀，经过离子注入硼，在高温热过程退火处理后形成P+区，并通过金属淀积形成金属层。

6.如权利要求3所述的改进型SG IGBT的制备方法，其特征在于，所述S2中在沟槽处的硅层表面进行氧化形成第一Gate Oxide；所述S3中在第一GateOxide上进行多晶硅的沉积形成第一Poly层；所述S4中在第一Poly层上通过各向异性刻蚀形成Poly层；并在Poly层上进行表面氧化形成第二Gate Oxide，在第二Gate Oxide上进行多晶硅的沉积形成第二Poly层。

7.如权利要求6所述的改进型SG IGBT的制备方法，其特征在于，所述第二Poly层上进行刻蚀形成Poly Gate。

8.如权利要求7所述的改进型SG IGBT的制备方法，其特征在于，所述形成Poly Gate后进行表面沉积形成氧化层，通过对接触孔刻蚀，经过离子注入二氟化硼，在高温热过程中退火形成P+区，并通过金属淀积形成金属层。

9.如权利要求1所述的改进型SG IGBT的制备方法，其特征在于，所述S3中形成SiN侧墙后通过热氧化形成厚氧化物层，通过各向同性刻蚀去除SiN侧墙，然后热氧化形成栅氧层，在栅氧层上进行多晶硅的沉积形成Poly层。

10.一种如权利要求1-9任一项所述的改进型SG IGBT的制备方法在制备SGIGBT技术领域中进行应用。