[发明专利]一种超高纯钼靶坯及其制备方法

摘要

本发明属于超纯金属靶坯制备技术领域，具体涉及一种超高纯钼靶坯及其制备方法。所述制备方法包括：采用低压化学气相沉积的方法沉积钼，反应气体为MoF6和氢气，所述MoF6和氢气的体积比为1:2.5~1:20，沉积温度为700~1200℃，压力为1‑50kPa。本发明采用低压化学气相沉积，在远低于钼熔点的温度条件下获得高致密度且纯度6N以上的超高纯钼靶坯，可避免常压生长钼致密度低问题，并且设备简单，自动化程度高，从而大幅度降低生产成本，同时可近终型制备管状、圆盘状及方形等等不同形状靶材坯料。