[发明专利]一种超高纯钼靶坯及其制备方法

权利要求书

1.一种钼靶坯的制备方法，其特征在于，包括：

采用低压化学气相沉积的方法沉积钼，反应气体为MoF₆和氢气，所述MoF₆和氢气的体积比为1:2.5~1:20，其中，沉积钼时的温度为700~1200℃，绝对压力为1~50kPa；

所述MoF₆是通过将钼原料和NF₃进行氟化反应之后蒸馏提纯制备得到；所述钼靶坯的制备方法还包括：对低压化学气相沉积产生的尾气进行冷凝，回收未反应的MoF₆和作为副产物的氟化氢，之后进行精馏分离，所得高纯MoF₆作为沉积钼的原料而再利用，分离出来的氟化氢经过电解得到三氟化氮，作为制备MoF₆的氟化剂而再利用。

2.根据权利要求1所述的钼靶坯的制备方法，其特征在于，所述钼原料的纯度≥99%。

3.根据权利要求1或2所述的钼靶坯的制备方法，其特征在于，所述氟化反应的温度为300~500℃。

4.根据权利要求1或2所述的钼靶坯的制备方法，其特征在于，蒸馏提纯后的MoF₆纯度≥99.995%。

5.根据权利要求1所述的钼靶坯的制备方法，其特征在于，沉积钼的基体选自镍基合金、不锈钢、铜、钼或钼合金。

6.根据权利要求1所述的钼靶坯的制备方法，其特征在于，沉积钼的沉积速度为0.1~3mm/h。

7.根据权利要求1所述的钼靶坯的制备方法，其特征在于，沉积钼时加热器位于化学气相沉积装置内。

8.根据权利要求7所述的钼靶坯的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积装置的内壁温度为180~300℃。