[发明专利]半导体工艺用抛光组合物以及半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202210858730.X | 申请日： | 2022-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN115678435A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 洪承哲;韩德洙;朴韩址;金圭勋;郑恩先;权璋国;李亨株 | 申请（专利权）人： | SKC索密思株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 赵瑞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体工艺用抛光组合物和半导体器件的制备方法。提供一种包括胺类抛光率增强剂的半导体工艺用抛光组合物，所述半导体工艺用抛光组合物包括抛光颗粒，所述抛光颗粒包括所述胺类抛光率增强剂。所述半导体工艺用抛光组合物在所述抛光颗粒的表面周围还包括胺类表面改性剂，并且基于整体组合物，所述胺类抛光率增强剂中的胺基的含量和所述胺类表面改性剂中的胺基的含量的和为0.0185重量％以上。所述半导体工艺用抛光组合物在掺硼多晶硅层的抛光中可以实现目标范围的抛光率和缺陷防止性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 抛光 组合 以及 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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