[发明专利]半导体工艺用抛光组合物以及半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202210858730.X | 申请日： | 2022-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN115678435A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 洪承哲;韩德洙;朴韩址;金圭勋;郑恩先;权璋国;李亨株 | 申请（专利权）人： | SKC索密思株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 赵瑞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 抛光 组合 以及 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体工艺用抛光组合物，其中，包括：
水，
抛光颗粒，以及
胺类抛光率增强剂；
基于所述半导体工艺用抛光组合物的总重量，胺基的含量为0.0185重量％以上。
2.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其中，
所述抛光颗粒的表面键合有胺类表面改性剂，
基于所述半导体工艺用抛光组合物的总重量，所述胺类抛光率增强剂中的胺基的含量和所述胺类表面改性剂中的胺基的含量的和为0.0185重量％以上。
3.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其中，
所述胺类表面改性剂为氨基硅烷。
4.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其中，
所述半导体工艺用抛光组合物的pH为4以下且Zeta电位为15mV至33mV。
5.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其中，
所述半导体工艺用抛光组合物的通过如下第1式表示的抛光强度指数PSI是0.6至5，
第1式：
在所述第1式中，
所述ZP为所述半导体工艺用抛光组合物的Zeta电位，
所述AC1为基于所述半导体工艺用抛光组合物的总重量的所述胺类表面改性剂中的胺基的重量％含量，
所述AC2为基于所述半导体工艺用抛光组合物的总重量的所述胺类抛光率增强剂中的胺基的重量％含量。
6.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其中，
所述半导体工艺用抛光组合物还包括氮化硅抑制剂和表面活性剂。
7.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其中，
所述抛光颗粒的平均粒径为30nm至50nm，粘度为1.20cps至1.40cps。
8.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其中，
所述半导体工艺用抛光组合物用于包括掺硼多晶硅层的半导体基板的抛光工艺。
9.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其中，
所述胺类抛光率增强剂选自由甘氨酸、β-丙氨酸甜菜碱、硬脂基甜菜碱及其混合构成的组。
10.一种半导体器件的制备方法，其中，包括如下步骤：
提供包括掺硼多晶硅层的半导体基板；
准备包括水、抛光颗粒和胺类抛光率增强剂且胺基的含量为0.0185重量％以上的半导体工艺用抛光组合物；以及
通过使用所述半导体工艺用抛光组合物来抛光所述掺硼多晶硅层。
11.根据权利要求10所述的半导体器件的制备方法，其中，
所述掺硼多晶硅层的抛光率为/min以上。
12.根据权利要求10所述的半导体器件的制备方法，其中，
所述半导体基板还包括氮化硅膜，
所述氮化硅膜的抛光率为/min以下。
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