[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202210844695.6 | 申请日： | 2022-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN115084097A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 许飞;王梦慧;杨宗凯;陈信全 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/74;H01L21/324;H01L21/266;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构的制作方法包括：提供包括标记区和管芯区的基底，基底上形成有垫氧化层；在垫氧化层上形成图形化的掩模层，再执行离子注入工艺，在标记区的基底中形成第一埋层，以及在管芯区的基底中形成第二埋层；去除图形化的掩模层；形成覆盖基底上表面的扩散覆盖层；执行退火工艺，使得第一埋层和第二埋层在基底中扩散；去除扩散覆盖层，第一埋层邻接区域的基底与第一埋层所在区域的基底存在色差，第二埋层邻接区域的基底与第二埋层所在区域的基底存在色差，以第一埋层的图形作为对准标记。如此，可以低成本的形成辨识度较高的对准标记。本发明提供的半导体结构利用上述的制作方法形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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