[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括标记区和管芯区，所述基底上形成有垫氧化层；

在所述垫氧化层上形成图形化的掩模层，以所述图形化的掩模层为掩模，执行离子注入工艺，在所述标记区的基底中形成第一埋层，以及在所述管芯区的基底中形成第二埋层；去除所述图形化的掩模层；

执行氧化工艺，形成覆盖所述基底上表面的扩散覆盖层；

执行退火工艺，使得所述第一埋层和所述第二埋层向远离所述扩散覆盖层的基底中扩散；以及

去除所述扩散覆盖层，所述第一埋层邻接区域的基底与所述第一埋层所在区域的基底存在色差，所述第二埋层邻接区域的基底与所述第二埋层所在区域的基底存在色差，以所述第一埋层的图形作为对准标记。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述离子注入工艺注入的掺杂剂包括锑或砷。

3.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述离子注入工艺包括第一离子注入步骤和第二离子注入步骤；所述第一离子注入步骤的注入能量为60KeV~80KeV，注入剂量为0.9E15~1.1E15；所述第二离子注入步骤的注入能量为30KeV~50KeV，注入剂量为1.9E15~2.1E15。

4.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，采用热氧化工艺形成所述扩散覆盖层，所述扩散覆盖层包括所述垫氧化层。

5.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述扩散覆盖层的厚度为3200埃~5300埃。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述标记区位于所述基底的切割道区域内。

7.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一埋层和所述第二埋层均为N型埋层，所述基底为P型基底。

8.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述退火工艺的温度为1150℃~1200℃。

9.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法还包括：

去除所述扩散覆盖层后，在所述基底上形成外延层。

10.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构利用如权利要求1至权利要求9任意一项所述的半导体结构的制作方法形成。