[发明专利]一种热压后退火改善硒化镉薄膜质量的方法

摘要

本发明属于半导体薄膜退火处理技术领域，公开了一种热压后退火改善硒化镉薄膜质量的方法，该方法是以硒化镉薄膜为处理对象，在保护性气体的气氛环境下，将硒化镉薄膜直接与导热基底贴合，同时对所述硒化镉薄膜施加压力，在保持压力条件下进行加热退火；由此得到的退火后的硒化镉薄膜相较于处理前的硒化镉薄膜，晶粒尺寸更大、且薄膜孔隙率更小。本发明通过在退火过程中对薄膜进行额外加压，配合加热热火对硒化镉薄膜进行后处理，能够改善当前硒化镉薄膜多孔与高粗糙度问题。