[发明专利]一种热压后退火改善硒化镉薄膜质量的方法

权利要求书

1.一种热压后退火改善硒化镉薄膜质量的方法，其特征在于，该方法是以硒化镉薄膜为处理对象，在保护性气体的气氛环境下，将硒化镉薄膜直接与导热基底贴合，同时对所述硒化镉薄膜施加压力，在保持压力条件下进行加热退火；由此得到的退火后的硒化镉薄膜相较于处理前的硒化镉薄膜，晶粒尺寸更大、且薄膜孔隙率更小；

其中，所述导热基底与所述硒化镉薄膜之间不发生化学反应。

2.如权利要求1所述热压后退火改善硒化镉薄膜质量的方法，其特征在于，所述施加压力具体是通过在所述硒化镉薄膜上方放置物品实现的，通过该物品的重力作用，实现对所述硒化镉薄膜的加压。

3.如权利要求2所述热压后退火改善硒化镉薄膜质量的方法，其特征在于，所述物品能够为硒化镉薄膜整体提供(1.6～6.4)×10⁵Pa的压力。

4.如权利要求1所述热压后退火改善硒化镉薄膜质量的方法，其特征在于，所述保护性气体为氮气或惰性气体；优选的，所述惰性气体为氩气。

5.如权利要求1所述热压后退火改善硒化镉薄膜质量的方法，其特征在于，所述加热退火是在480℃～540℃的温度下进行的。

6.如权利要求1所述热压后退火改善硒化镉薄膜质量的方法，其特征在于，所述加热退火的退火时间为0.5h～2h。