[发明专利]曝光方法在审
| 申请号： | 202210826955.7 | 申请日： | 2022-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN115047716A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 刘志成 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种曝光方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层，第一光刻胶层包含第一比例的光致酸产生剂；在第一光刻胶层上形成第二光刻胶层，第二光刻胶层包含第二比例的光致酸产生剂；在第二光刻胶层上形成第三光刻胶层，第三光刻胶层包含第三比例的光致酸产生剂，第一比例和第三比例的值均大于第二比例的值；以掩模板为掩膜，使用光源产生的光一次性曝光第三光刻胶层、第二光刻胶层和第一光刻胶层，形成位于第三光刻胶层、第二光刻胶层和第一光刻胶层内的沟槽，沟槽的深宽比大于10。可以降低第二光刻胶层与光的反应，加快第一光刻胶层和第三光刻胶层与光的反应，从而平均三个光刻胶层与光的反应，使得最后形成的沟槽的侧壁是笔直的。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 | ||
【主权项】：
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