[发明专利]曝光方法在审
| 申请号： | 202210826955.7 | 申请日： | 2022-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN115047716A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 刘志成 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 | ||
1.一种曝光方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层包含第一比例的光致酸产生剂；
在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层包含第二比例的光致酸产生剂；
在所述第二光刻胶层上形成第三光刻胶层，所述第三光刻胶层包含第三比例的光致酸产生剂，所述第一比例和第三比例的值均大于所述第二比例的值；
设置掩模板和光源，以所述掩模板为掩膜，使用所述光源产生的光一次性依次曝光所述第三光刻胶层、第二光刻胶层和第一光刻胶层，以形成沟槽，所述沟槽的深宽比大于10。
2.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述掩模板位于所述第三光刻胶层的上方，所述光源位于所述掩模板的上方。
3.如权利要求2所述的曝光方法，其特征在于，所述光源位于所述掩模板的正上方。
4.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述沟槽露出所述衬底。
5.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述沟槽的侧壁笔直，且垂直于所述衬底。
6.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述第一光刻胶层、第二光刻胶层和第三光刻胶层的厚度相同或不相同。
7.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述光致酸产生剂均匀分布在所述第一光刻胶层，所述光致酸产生剂均匀分布在所述第二光刻胶层，所述光致酸产生剂均匀分布在所述第三光刻胶层。
8.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，旋涂光刻胶以形成所述第一光刻胶层、第二光刻胶层和第三光刻胶层。
9.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，形成的沟槽的数量为多个。
10.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述光源产生的光为激光。
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