[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202210811805.9 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN115696914A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 李洋熙;朴钟爀;裵珍宇;尹普彦;尹一永 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H10N97/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯;李敬文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件可以包括：包括单元区和外围区的基板、基板的单元区上的下电极、下电极的表面上的介电层、介电层上的硅锗层、堆叠在硅锗层上的金属板图案和抛光停止层图案、以及物理接触硅锗层的上表面的上接触插塞。上接触插塞可以具有比抛光停止层图案的上表面更远离基板的上表面。上接触插塞可以与金属板图案和抛光停止层图案间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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