[发明专利]碳化硅晶片的加工方法在审
| 申请号： | 202210809677.4 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN115674003A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 洪士哲;余文怀;徐文庆 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B29/02;C30B29/36;C30B33/00;C30B33/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;刘芳 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅晶片的加工方法，所述方法包括以下的步骤。提供碳化硅晶片，所述碳化硅晶片具有第一面以及与第一面相反的第二面。进行细研磨工艺，以对所述碳化硅晶片的第一面以及第二面进行研磨。进行干式刻蚀工艺，以对所述碳化硅晶片的第一面以及第二面进行刻蚀，并且使第一面以及第二面的粗糙度在2.5nm以下。在所述干式刻蚀工艺之后进行抛光工艺，以对所述碳化硅晶片的第一面以及第二面进行抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
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