[发明专利]碳化硅晶片的加工方法

权利要求书

1.一种碳化硅晶片的加工方法，包括：

提供碳化硅晶片，所述碳化硅晶片具有第一面以及与所述第一面相反的第二面；

进行细研磨工艺，以对所述碳化硅晶片的所述第一面以及所述第二面进行研磨；

进行干式刻蚀工艺，以对所述碳化硅晶片的所述第一面以及所述第二面进行刻蚀，并且使所述第一面以及所述第二面的粗糙度在2.5nm以下；以及

在所述干式刻蚀工艺之后进行抛光工艺，以对所述碳化硅晶片的所述第一面以及所述第二面进行抛光。

2.根据权利要求1所述的加工方法，其中所述干式刻蚀工艺为反应式离子刻蚀工艺，且所述反应式离子刻蚀工艺的刻蚀气体包括选自BCl₃、SF₆、O₂以及Ar所组成的群组的至少一种或多种。

3.根据权利要求2所述的加工方法，其中所述反应式离子刻蚀工艺的刻蚀参数设定包括气体流量为1sccm至80sccm的SF₆、1sccm至20sccm的O₂以及1sccm至80sccm的Ar，上电极设定为800W至2400W，下电极设定为30W至600W，且真空压力设定为1mtorr至100mtorr。

4.根据权利要求1所述的加工方法，其中，在所述干式刻蚀工艺之后，且在进行所述抛光工艺之前，所述第一面的粗糙度落在1.7nm至2.2nm的范围内，且所述第二面的粗糙度落在1.6nm至2.5nm的范围内。

5.根据权利要求1所述的加工方法，其中，在所述干式刻蚀工艺中，所述第一面的刻蚀移除量在2.5μm至3.5μm的范围之间，且所述第二面的刻蚀移除量在2.5μm至3.5μm的范围之间。

6.根据权利要求5所述的加工方法，其中，在所述干式刻蚀工艺中，所述第一面的刻蚀移除量在2.7μm至3.3μm的范围之间，且所述第二面的刻蚀移除量在2.5μm至2.8μm的范围之间。

7.根据权利要求1所述的加工方法，其中所述抛光工艺包括粗抛以及细抛。

8.根据权利要求7所述的加工方法，其中，进行所述粗抛以及所述细抛之后，所述第一面的抛光移除量在1.5μm以下，且所述第二面的抛光移除量在1μm以下。

9.根据权利要求8所述的加工方法，其中，进行所述粗抛以及所述细抛之后，所述第一面的抛光移除量在1.32μm至1.47μm的范围之间，且所述第二面的抛光移除量在0.55μm至0.75μm的范围之间。

10.根据权利要求7所述的加工方法，其中在进行所述粗抛之后，所述碳化硅晶片的所述第一面的刮伤长度为50mm至220mm的范围内。

11.根据权利要求7所述的加工方法，其中进行所述粗抛以及所述细抛所花费的时间为30分钟以下。