[发明专利]掩模基版、掩模版及光刻设备在审
| 申请号： | 202210807754.2 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN115079512A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 林岳明;季明华;黄早红 | 申请（专利权）人： | 上海传芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/60 | 分类号： | G03F1/60;G03F1/38;G03F1/46;G03F7/20 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 成亚婷 |
| 地址： | 200135 上海市浦东新区自由贸*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种掩模基版、掩模版及光刻设备。所述掩模基版包括：基底，设置于所述基底入光侧的光致发光层，以及设置于所述基底出光侧的遮光层；所述光致发光层可使入射的第一曝光光束转变为具有更短波长的第二曝光光束射出。所述掩模版包括：基底，设置于所述基底入光侧的光致发光层，以及设置于所述基底出光侧的遮光层；所述遮光层中形成有掩模图案；所述光致发光层可使入射的第一曝光光束转变为具有更短波长的第二曝光光束射出。所述光刻设备包括：曝光机以及所述掩模版；所述曝光机用于向所述掩模版照射所述第一曝光光束。本公开可以有效提高光刻分辨率，以实现低成本、高效率且大面积的纳米光学光刻，并确保光刻图案的刻蚀精度。 | ||
| 搜索关键词： | 掩模基版 模版 光刻 设备 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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