[发明专利]掩模基版、掩模版及光刻设备在审
| 申请号： | 202210807754.2 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN115079512A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 林岳明;季明华;黄早红 | 申请（专利权）人： | 上海传芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/60 | 分类号： | G03F1/60;G03F1/38;G03F1/46;G03F7/20 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 成亚婷 |
| 地址： | 200135 上海市浦东新区自由贸*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩模基版 模版 光刻 设备 | ||
1.一种掩模基版，其特征在于，包括：基底，设置于所述基底入光侧的光致发光层，以及设置于所述基底出光侧的遮光层；
所述光致发光层可使入射的第一曝光光束转变为具有更短波长的第二曝光光束射出。
2.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述光致发光层包括上转换发光层或光子倍增发光层。
3.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述掩模基版还包括：设置于所述光致发光层与所述基底之间的光选择层；所述光选择层用于使特定范围内波长的光透过。
4.根据权利要求3所述的掩模基版，其特征在于，所述光选择层包括二向色滤光膜。
5.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述掩模基版还包括：设置于所述遮光层背离所述基底一侧的光刻胶层。
6.根据权利要求5所述的掩模基版，其特征在于，所述掩模基版还包括：设置于所述遮光层和所述光刻胶层之间的第一减反射层。
7.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述掩模基版还包括：设置于所述基底和所述遮光层之间的相移层。
8.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述掩模基版还包括：设置于所述光致发光层入光侧的第二减反射层。
9.一种掩模版，其特征在于，包括：基底，设置于所述基底入光侧的光致发光层，以及设置于所述基底出光侧的遮光层；所述遮光层中形成有掩模图案；
所述光致发光层可使入射的第一曝光光束转变为具有更短波长的第二曝光光束射出。
10.根据权利要求9所述的掩模版，其特征在于，所述光致发光层包括上转换发光层或光子倍增发光层。
11.根据权利要求9所述的掩模版，其特征在于，所述掩模版还包括：设置于所述光致发光层与所述基底之间的光选择层；所述光选择层用于使特定范围内波长的光透过。
12.根据权利要求11所述的掩模版，其特征在于，所述光选择层包括二向色滤光膜。
13.根据权利要求9所述的掩模版，其特征在于，所述掩模版还包括：设置于所述基底和所述遮光层之间的相移层。
14.根据权利要求9所述的掩模版，其特征在于，所述掩模版还包括：设置于所述光致发光层入光侧的第二减反射层。
15.一种光刻设备，其特征在于，包括：曝光机，以及如权利要求9～14中任一项所述掩模版；所述曝光机用于向所述掩模版照射所述第一曝光光束。
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