[发明专利]存储单元、存储器及其制造方法、电子设备在审
| 申请号： | 202210803479.7 | 申请日： | 2022-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN116234307A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 康卜文;朱正勇;赵超;王桂磊 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张筱宁;宋海斌 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种存储单元、存储器及其制造方法、电子设备。在本申请实施例提供的存储单元中，第一半导体结构相对于源极和漏极缩进，使得源极、第一半导体结构和漏极围合形成侧向凹槽，使得栅极的尺寸与侧向凹槽的尺寸相适配，从而能够精准控制栅极沿第一方向的长度尺寸，能够提高栅极的制造精度，能够保障存储单元的制造精度，进而能够保障存储器中各个存储单元性能的均一性，进而能够保障存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 存储器 及其 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京超弦存储器研究院，未经北京超弦存储器研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210803479.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
