[发明专利]一种Micro LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202210759546.X | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN114975711A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;柯志杰;蔡建九;艾国齐;谈江乔;江方 | 申请（专利权）人： | 厦门未来显示技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/46;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王娇娇 |
| 地址： | 361006 福建省厦门市火炬高新区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种Micro LED芯片及其制作方法，通过在衬底的第一表面依次沉积缓冲层、第一型导电层、有源区、第二型导电层、反射结构、保护层、第一电极、第二电极和非导电DBR反射结构，并将所述非导电DBR反射结构设置于所述第一电极和所述第二电极之间，且所述非导电DBR反射结构的厚度不小于所述第一电极或所述第二电极的厚度；其中，所述第一导电通道贯穿所述保护层、所述反射结构、所述第二型导电层和所述有源区与所述第一型导电层形成电连接；所述第二导电通道贯穿所述保护层和所述反射结构与所述第二型导电层形成电连接。应用本发明提供的技术方案，可有效避免芯片制作过程中的发光面积的损耗，有效提高Micro LED芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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